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概述

该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。

电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V 条件下最大持续输出电流达到 1.5A，最大峰值输出电流达到 2.5A。

该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时(典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。

特性

低待机电流 (小于 0.1uA)

低导通内阻 MOSFET 功率开关管

采用 MOS 工艺设计功率管

1200 毫安通道功率管内阻 0.35 欧姆

200 毫安通道功率管内阻 0.31 欧姆

特定条件下 VCC 可以悬空

输入信号最低高电平电压大于 2.4V

较小的输入电流

集成约 15K 对地下拉电阻

VCC 正常连接，3V 驱动信号平均 200uA 输入电流

VCC 悬空，3V 驱动信号平均 350uA 输入电流

内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)

抗静电等级：3KV (HBM)

应用范围

2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动

2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动

1-2 节锂电池供电的马达驱动

电子锁

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